2009-05-04 19:17 I 阅读:981
NPD的响应机理现还不完全清楚,主要有两种假说:气相电离理论和表 面电离理论。似乎后者更为流行。 1、气相电离理论 Kolb等【4,6】提出的气相电离理论,要点如下所述。 (1)基流和寿命 该理论能圆满解释NPD基流小和电离源寿命长的原因。 硅酸铷是不挥发盐。即使在600~800℃下,它也不能气化。因电离源是负 电位,Rb+不可能直接挥发成蒸汽状态。因此,该理论认为,电离源中玻璃在加热温度下是电良导体,可使Rb+得到从加热导线来的电子变成中性铷原子: Rb++e→Rb 该铷原子在热电离源表面上可蒸发成蒸汽态。正因为该铷原子是中性的,故NPD基流比AFID小103~104倍。但它还是有一定的基流,这是因为在电离源表面的气相边界层中,铷原子发生如下反应的结果: Rb+H+H →Rb++H2+e Rb+H+OH →Rb++H2O+e Rb+O+O →Rb++O2+e Rb+N2 → Rb++N2+e 以上反应除产生基流外,还形成Rb+。Rb+在电离源负电位的影响下,又回到铷源表面,形成铷的再循环。因此,电离源寿命长。
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GC-9560气相色谱仪的火焰热离子检测器
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